用于测定半导体开关的温度的方法和设备

摘要

本申请涉及一种用于测定半导体开关的温度的方法和设备，其中该半导体开关（1）具有集成的栅极电阻（RGint），该方法具有如下方法步骤：-通过经与半导体开关（1）的栅极电阻端子（GA）连接的外部电阻（Rext）提高半导体开关（1）的栅极-发射极电压（UGE）来接通半导体开关（1），-测定在提高半导体开关（1）的栅极-发射极电压（UGE）期间栅极-发射极电压（UGE）从第一电压（U1）上升到第二电压（U2）需要的持续时间（dt），以及-借助所测定的持续时间（dt）来测定半导体开关（1）的温度（T）。此外，本发明涉及一种用于测定半导体开关（1）的温度（T）的相关设备。本发明使高动态地测定半导体开关（1）的温度成为可能。

主权项

用于测定半导体开关（1）的温度（T）的方法，该半导体开关具有集成的栅极电阻（RGint），该方法具有如下方法步骤：‑通过经与所述半导体开关（1）的栅极电阻端子（GA）连接的外部电阻（Rext）提高所述半导体开关（1）的栅极‑发射极电压（UGE）来接通所述半导体开关（1），‑测定在提高所述半导体开关（1）的栅极‑发射极电压（UGE）期间所述栅极‑发射极电压（UGE）从第一电压（U1）上升到第二电压（U2）需要的持续时间（dt），以及‑借助所测定的持续时间（dt）来测定所述半导体开关（1）的温度（T）。