| 发明名称 | 一种太赫兹波调制器 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种太赫兹波调制器，包括太赫兹波可透过的半导体衬底（1）、在半导体衬底（1）上按一定周期分布的金属氧化物半导体场效应管阵列（2）、在金属氧化物半导体场效应管阵列（2）上制备的超材料谐振单元阵列（3）、第一金属板（4）和第二金属板（5）；第一金属板（4）与金属氧化物半导体场效应管的源极及漏极相连接；第二金属板（5）与金属氧化物半导体场效应管的栅极相连接。本发明中的金属氧化物半导体场效应管的工作电压很低，使得以其制备的太赫兹波调制器可于低电压下工作。金属氧化物半导体场效应管的开关时间极短，为10～100ns量级，使得以其制备的太赫兹波调制器的调制速率可大于10MHz。 | ||
| 申请公布号 | CN103034014A | 申请公布日期 | 2013.04.10 |
| 申请号 | CN201210580488.0 | 申请日期 | 2012.12.26 |
| 申请人 | 东南大学 | 发明人 | 张雄;廖民亮;丛嘉伟;崔一平 |
| 分类号 | G02F1/355(2006.01)I | 主分类号 | G02F1/355(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人 | 王鹏翔 |
| 主权项 | 一种太赫兹波调制器，其特征在于，包括太赫兹波可透过的半导体衬底（1）、在半导体衬底（1）上按一定周期分布的金属氧化物半导体场效应管阵列（2）、在金属氧化物半导体场效应管阵列（2）上制备的超材料谐振单元阵列（3）、第一金属板（4）和第二金属板（5）；所述第一金属板（4）与金属氧化物半导体场效应管的源极及漏极相连接；所述第二金属板（5）与金属氧化物半导体场效应管的栅极相连接。 | ||
| 地址 | 210096 江苏省南京市玄武区四牌楼2号 | ||