| 发明名称 | 用于高电压操作的具有隔离体的晶体管及半导体管芯 | ||
| 摘要 | 本申请公开了用于高电压操作的具有隔离体的晶体管及半导体管芯的各种实施方案。在一个例示性实施方案中，这样的晶体管包括具有第一导电类型的深井注入物，此深井注入物设置于具有与第一导电类型相反的第二导电类型的衬底之上。此晶体管包括第一导电类型的源侧阱和漏侧阱。源侧阱和漏侧阱电耦合至深阱注入物。深阱注入物、源侧阱和漏侧阱将晶体管的体与衬底电绝缘。 | ||
| 申请公布号 | CN202871799U | 申请公布日期 | 2013.04.10 |
| 申请号 | CN201220498769.7 | 申请日期 | 2012.09.27 |
| 申请人 | 美国博通公司 | 发明人 | 伊藤明 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 田喜庆 |
| 主权项 | 一种晶体管，包括：具有第一导电类型的深阱注入物，设置于具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的衬底之上；所述第一导电类型的源侧阱和漏侧阱，所述源侧阱和所述漏侧阱电耦合至所述深阱注入物；所述深阱注入物、所述源侧阱和所述漏侧阱将所述晶体管的本体与所述衬底电绝缘。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||