一种应用于薄硅片的临时键合和解离工艺方法

摘要

本发明公开了一种应用于薄硅片的临时键合和解离工艺方法，包括步骤如下：1)在硅片的键合面涂布第一粘合剂，并对其烘烤；2)在载片的键合面涂布第二粘合剂，并对其烘烤；3)将硅片和载片进行临时键合；4)对硅片背面进行研磨减薄；5)进行硅片背面工艺；6)将减薄后的硅片和载片进行解离；7)去除减薄后的硅片键合面上的第一粘合剂；8)去除载片键合面上的第二粘合剂。该工艺方法既具备室温下即可解离的优点，又能解决以下两个问题：一是传统化学溶剂解离法中因需使用多孔结构的载片而产生的高成本和硅片图形沾污问题，二是传统激光或紫外光照射解离法中由于粘合剂不能太厚而导致的不能完全覆盖硅片键合面上图形的台阶高度的问题。

主权项

一种应用于薄硅片的临时键合和解离工艺方法，其特征在于，包括步骤如下：(1)在硅片的键合面涂布第一粘合剂，并对其烘烤；(2)在载片的键合面涂布第二粘合剂，并对其烘烤；(3)将硅片和载片进行临时键合；(4)对硅片背面进行研磨减薄；(5)进行硅片背面工艺；(6)将减薄后的硅片和载片进行解离；(7)去除减薄后的硅片键合面上的第一粘合剂；(8)去除载片键合面上的第二粘合剂。