| 发明名称 | 改善半导体工艺中光刻图案线条边缘粗糙度的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出了一种改善半导体工艺中光刻图案线条边缘粗糙度的方法，所述方法包括：在需要形成图案的半导体层上涂覆光刻胶；对所述光刻胶曝光显影，以形成带有图案的光刻胶；对所述带有图案的光刻胶进行离子注入，以形成硬掩膜；以所述硬掩膜为掩膜对所述半导体层进行刻蚀。利用本发明的工艺可以显著改善图案的线边缘粗糙度，同时工艺简单，成本低廉。 | ||
| 申请公布号 | CN102136415B | 申请公布日期 | 2013.04.10 |
| 申请号 | CN201010102431.0 | 申请日期 | 2010.01.27 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 李亮;沈忆华;涂火金;宋化龙;史运泽 |
| 分类号 | H01L21/027(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/027(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;顾珊 |
| 主权项 | 一种改善半导体工艺中光刻图案线条边缘粗糙度的方法，所述方法包括：在需要形成图案的半导体层上涂覆光刻胶；对所述光刻胶曝光显影，以形成带有图案的光刻胶；对所述带有图案的光刻胶进行低能、高束流和高剂量的离子注入，以形成硬掩膜，其中所述离子注入的能量在10～30KeV范围内，所述离子注入的剂量在1×1015～1×1016atom/cm2范围内，且所述离子注入的束流量大于10mA；以所述硬掩膜为掩膜对所述半导体层进行刻蚀。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||