发明名称 | 改进可调节的ESD保护器件 | ||
摘要 | 本发明提供了一种ESD保护器件。该器件包括双极结型晶体管,该双极结型晶体管包括集电极、基极和发射极。集电极包括第一掺杂元件和在第一掺杂元件上设置的更重掺杂的第二掺杂元件。第一掺杂元件和第二掺杂元件分别具有第一掺杂极性。基极被设置为与集电极相邻,并且包括具有不同于第一掺杂极性的第二掺杂极性的第三掺杂元件。p-n结形成在第三掺杂元件与第一掺杂元件和第二掺杂元件中的一个之间。发射极形成在基极上方。发射极包括具有第一掺杂极性并与第三掺杂元件形成p-n结的第四掺杂元件。与第三掺杂元件相比更重地掺杂第四掺杂元件。本发明还提供了改进可调节的ESD保护器件。 | ||
申请公布号 | CN103035638A | 申请公布日期 | 2013.04.10 |
申请号 | CN201210292465.X | 申请日期 | 2012.08.16 |
申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 郭锡瑜;陈纪光 |
分类号 | H01L27/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
主权项 | 一种装置,包括:双极结型晶体管(BJT)器件,包括:集电极,设置在衬底中,所述集电极包括第一掺杂元件以及设置在所述第一掺杂元件上方的第二掺杂元件,其中,所述第一掺杂元件和所述第二掺杂元件均具有第一掺杂极性,并且所述第二掺杂元件的掺杂浓度等级高于所述第一掺杂元件的掺杂浓度等级;基极,设置在所述衬底中并与所述集电极相邻,所述基极包括具有不同于所述第一掺杂极性的第二掺杂极性的第三掺杂元件,其中,在所述第三掺杂元件与所述第一掺杂元件或所述第二掺杂元件形成pn结;以及发射极,设置在所述基极上方,所述发射极包括具有所述第一掺杂极性的第四掺杂元件,其中,所述第四掺杂元件的掺杂浓度等级高于所述第三掺杂元件的掺杂浓度等级。 | ||
地址 | 中国台湾新竹 |