具有超低结电容密度的pn结及其制造方法

摘要

本申请公开了一种具有超低结电容密度的pn结，在具有第一导电类型杂质的外延层中由两个隔离结构定义出有源区；在有源区的外延层中对称分布有两个填充结构，两个填充结构之间的间距≤每个填充结构的宽度的1.5倍；每个填充结构均分为上下两部分，下部为氧化硅，上部为具有第二导电类型杂质的多晶硅；所述填充结构的总高度≥3μm，填充结构下部的氧化硅的厚度≥2.5μm；填充结构下部的氧化硅上表面低于外延层上表面，以使外延层与两个填充结构上部的多晶硅之间各形成pn结；填充结构上部的多晶硅掺杂浓度远大于外延层；所述第一导电类型、第二导电类型分别为p型、n型；或相反。本申请还公开了其制造方法。本申请所述pn结具有＜0.05fF/μm2的超低结电容密度。

主权项

一种具有超低结电容密度的pn结，其特征是，在具有第一导电类型杂质的外延层中由两个隔离结构定义出有源区；在有源区的外延层中对称分布有两个填充结构，两个填充结构之间的间距≤每个填充结构的宽度的1.5倍；每个填充结构均分为上下两部分，下部为氧化硅，上部为具有第二导电类型杂质的多晶硅；所述填充结构的总高度≥3μm，填充结构下部的氧化硅的厚度≥2.5μm；填充结构下部的氧化硅上表面低于外延层上表面，以使外延层与两个填充结构上部的多晶硅之间各形成pn结；填充结构上部的多晶硅掺杂浓度远大于外延层；所述第一导电类型、第二导电类型分别为p型、n型；或相反。