发明名称 光刻方法
摘要 本发明公开了一种使用光致抗蚀剂进行光刻的方法。光致抗蚀剂中含有第一组分和第二组分,并且第一组分和第二组分的敏感波段基本不同。通过使用波长为两个敏感波段之一的光对光致抗蚀剂进行曝光,使得第一组分产生第一化学物质,然后使用另一个敏感波段的光对光致抗蚀剂进行均匀照射,使得第二组分产生第二化学物质,并且第二化学物质的质量浓度高于所述第一化学物质的最小质量浓度,从而能够改善在光致抗蚀剂中所形成的第一化学物质的潜像的对比度,由此得到的光刻图案具有更好的边缘粗糙度。
申请公布号 CN103034048A 申请公布日期 2013.04.10
申请号 CN201110300889.1 申请日期 2011.09.29
申请人 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 发明人 伍强;徐垚
分类号 G03F7/00(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I;G03F7/004(2006.01)I 主分类号 G03F7/00(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 马景辉
主权项 一种使用光致抗蚀剂进行光刻的方法,所述光致抗蚀剂包括:基质树脂;用于产生化学放大作用的第一组分,该第一组分能够在第一波段的光的照射下产生第一化学物质,所述第一化学物质能够与所述基质树脂发生反应以形成潜像;以及第二组分,该第二组分能够在第二波段的光的照射下产生第二化学物质,所述第二化学物质能够与所述第一化学物质发生反应,从而降低第一化学物质的质量浓度,所述光刻方法包括以下步骤:提供表面覆盖有所述光致抗蚀剂的衬底;使用第一波段的光对所述光致抗蚀剂表面的选定区域进行选择性照射,从而在光致抗蚀剂中产生第一化学物质,其中该第一化学物质在所述光致抗蚀剂中具有一定质量浓度分布;使用第二波段的光对所述光致抗蚀剂表面的所有区域进行均匀照射,从而在光致抗蚀剂中产生第二化学物质,其中所述第二化学物质的质量浓度在光致抗蚀剂中是均匀分布的,并且所述第二化学物质的质量浓度大于所述第一化学物质的质量浓度的最小值;对所述光致抗蚀剂进行显影处理,从而形成所需要的光致抗蚀剂图案。
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