| 发明名称 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种可靠性高的半导体装置。通过成品率良好地制造半导体装置来达成高生产率。在半导体装置中，依次层叠有栅电极层、栅极绝缘膜、含有铟的氧化物半导体膜、以及设置在氧化物半导体膜上并与氧化物半导体膜接触的绝缘层，该绝缘膜与栅电极层重叠，并且还具有设置有与氧化物半导体膜及绝缘层接触的源电极层及漏电极层的晶体管，其中，将绝缘层表面的氯浓度设为1×1019/cm3以下，并且将铟浓度设为2×1019/cm3以下。 | ||
| 申请公布号 | CN103035735A | 申请公布日期 | 2013.04.10 |
| 申请号 | CN201210367145.6 | 申请日期 | 2012.09.28 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 何欣亭;朱海煜 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：栅电极层；所述栅电极层上的栅极绝缘膜；所述栅极绝缘膜上的氧化物半导体膜，所述氧化物半导体膜含有铟；提供在所述氧化物半导体膜上并与所述氧化物半导体膜接触的绝缘层，所述绝缘层与所述栅电极层重叠；位于所述氧化物半导体膜及所述绝缘层上并与所述氧化物半导体膜及所述绝缘层接触的源电极层；以及位于所述氧化物半导体膜及所述绝缘层上并与所述氧化物半导体膜及所述绝缘层接触的漏电极层，其中，所述绝缘层的表面处的氯浓度为小于或等于1×1019/cm3，以及其中，所述绝缘层的所述表面处的铟浓度为小于或等于2×1019/cm3。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县厚木市 | ||