| 发明名称 | 一种III-V族半导体纳米线场效应晶体管器件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种III-V族半导体纳米线晶体管器件，包括：单晶衬底层；在该单晶衬底层上形成的III-V族半导体缓冲层；在该III-V族半导体缓冲层上形成的底部欧姆接触层；在该底部欧姆接触层上形成的III-V族半导体复合沟道层；在该III-V族半导体复合沟道层上形成的顶部欧姆接触层和纳米线结构；在该纳米线结构上形成的环形高K栅介质层和功函数金属层；在该高K介质层和功函数金属层上形成的栅金属电极；以及在该顶部欧姆接触层上形成的源漏电极。本发明还公开了一种制作该纳米线场效应晶体管器件的方法。利用本发明，实现了低的源漏寄生电阻，提高了III-V族半导体MOS器件的电流驱动能力和更强的栅控功能，满足了高性能III-V CMOS技术在数字电路上的应用需求。 | ||
| 申请公布号 | CN103022135A | 申请公布日期 | 2013.04.03 |
| 申请号 | CN201210546598.5 | 申请日期 | 2012.12.14 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 刘洪刚;常虎东;王虹;薛百清 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 任岩 |
| 主权项 | 一种III‑V族半导体纳米线晶体管器件，其特征在于，包括：单晶衬底层(101)；在该单晶衬底层(101)上形成的III‑V族半导体缓冲层(102)；在该III‑V族半导体缓冲层(102)上形成的底部欧姆接触层(103)；在该底部欧姆接触层(103)上形成的III‑V族半导体复合沟道层(104)；在该III‑V族半导体复合沟道层(104)上形成的顶部欧姆接触层(105)和纳米线结构；在该纳米线结构上形成的环形高K栅介质层和功函数金属层(106)；在该高K介质层和功函数金属层(106)上形成的栅金属电极(107)；以及在该顶部欧姆接触层(105)上形成的源漏电极(108)。 | ||
| 地址 | 100083 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||