| 发明名称 | 晶体管的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种晶体管的制造方法。在基底上形成图案化牺牲层，图案化牺牲层包括多个开口，开口暴露基底。透过图案化牺牲层为掩模，对基底进行掺杂制程，以在开口所暴露的基底中形成源极掺杂区与漏极掺杂区。进行选择性成长制程，以分别在源极掺杂区与漏极掺杂区上形成源极与漏极。移除图案化牺牲层，以暴露源极与漏极之间的基底。在源极与漏极之间的基底上形成栅极。 | ||
| 申请公布号 | CN103021859A | 申请公布日期 | 2013.04.03 |
| 申请号 | CN201110354662.5 | 申请日期 | 2011.10.25 |
| 申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 苏国辉;陈逸男;刘献文 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 施浩 |
| 主权项 | 一种晶体管的制造方法，包括：在基底上形成图案化牺牲层，所述图案化牺牲层包括多个开口，所述开口暴露所述基底；透过所述图案化牺牲层为掩模，对所述基底进行掺杂制程，以在所述开口所暴露的基底中形成源极掺杂区与漏极掺杂区；进行选择性成长制程，以分别在所述源极掺杂区与所述漏极掺杂区上形成源极与漏极；移除所述图案化牺牲层，以暴露所述源极与所述漏极之间的所述基底；以及在所述源极与所述漏极之间的所述基底上形成栅极。 | ||
| 地址 | 中国台湾桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 | ||