在Ⅲ-Ⅴ族制造工艺中形成在硅晶圆的背面上方的保护膜

摘要

本发明公开了一种制造半导体器件的方法，该方法包括在硅衬底的第一表面和第二表面上方形成第一介电层，第一表面和第二表面为相对的表面。第一介电层的第一部分覆盖衬底的第一表面，并且第一介电层的第二部分覆盖衬底的第二表面。该方法包括形成从第一表面延伸到衬底中的开口。该方法包括通过第二介电层填充开口。该方法包括去除第一介电层的第一部分而没有去除第一介电层的第二部分。本发明还公开了一种在III-V族制造工艺中形成在硅晶圆的背面上方的保护膜。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括：在硅衬底的第一表面和第二表面上方形成第一介电层，所述第一表面和第二表面为相对的表面，其中所述第一介电层的第一部分覆盖所述衬底的所述第一表面，并且所述第一介电层的第二部分覆盖所述衬底的所述第二表面；形成开口，所述开口从所述第一表面延伸到所述衬底中；通过第二介电层填充所述开口；以及去除所述第一介电层的所述第一部分而没有去除所述第一介电层的所述第二部分。