SONOS非挥发性存储器

摘要

本发明公开了一种SONOS非挥发性存储器，结构单元包括串联连接的SONOS存储管和选择管，选择管为一浅沟槽寄生晶体管，栅极由填充于浅沟槽中的多晶硅层组成；栅氧由形成于浅沟槽表面上的线性氧化层组成；源漏区位于浅沟槽浅沟槽的两侧，一个源漏区为SONOS存储管和选择管共用的源漏注入共用区。本发明的选择管耐压能力较强且大于存储器的数据写入和擦除操作时的电压。本发明存储器位线是接入到选择管源漏注入区、而将源线接入到SONOS存储管源漏注入区，能够提高SONOS存储管的工作可靠性。本发明的相邻行能采用同一根源线，且能设置一根全局源线、并和所有源线都连接在一起并接地，能够提高存储器的工作速度。

主权项

一种SONOS非挥发性存储器，其结构单元包括串联连接的一个SONOS存储管和一个选择管，所述SONOS存储管和所述选择管形成于P型阱中，有源区由浅沟槽隔离，其特征在于：所述选择管为一浅沟槽寄生晶体管，所述选择管包括：栅极，由填充于浅沟槽中的第一多晶硅层组成；栅氧，由形成于所述浅沟槽的底部和侧壁表面上的线性氧化层组成，所述栅氧将所述栅极和所述P型阱隔离；源漏注入共用区和选择管源漏注入区，形成于所述浅沟槽两侧的有源区中、且都为N型掺杂；所述源漏注入共用区为所述SONOS存储管和所述选择管共用、实现所述SONOS存储管和所述选择管电气特性互联；位于所述源漏注入共用区和所述选择管源漏注入区之间、且位于所述所述浅沟槽底部的所述P型阱组成所述选择管的沟道区。