发明名称 |
底栅结构的单掩模自组装ITO薄膜晶体管的制备工艺 |
摘要 |
一种底栅结构的单掩模自组装低压ITO透明薄膜晶体管的制备工艺,包括:清洁衬底步骤;制备栅极步骤;制备绝缘层步骤;ITO沟道层和源、漏极的制备步骤。上述制备绝缘层步骤、ITO沟道层和源、漏极的制备步骤均在室温下进行。 |
申请公布号 |
CN103021866A |
申请公布日期 |
2013.04.03 |
申请号 |
CN201210556354.5 |
申请日期 |
2012.12.19 |
申请人 |
青岛意捷通信技术有限公司 |
发明人 |
郭琳 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 |
代理人 |
汤东凤 |
主权项 |
一种底栅结构的低压ITO透明薄膜晶体管的制备工艺,其特征在于,包括:清洁衬底步骤;制备栅极步骤,分别用丙酮和乙醇进行超声波清洗10分钟,除去硅片上的有机物和油迹,再用去离子水把残留在硅片上的丙酮和乙醇清洗掉,最后在80℃干燥箱内烘干;制备绝缘层步骤,把处理好的硅片放入PECVD的真空室内,用机械泵和罗茨泵把真空室的气压抽至10Pa以下,通入的反应气体为氧气和硅烷,同时通入惰性气体氩气作为保护气体以及电离气体;ITO沟道层的沉积步骤,在沉积好介孔Si02的衬底上,采用射频磁控溅射沉积ITO沟道层,溅射时的本底真空为3×10‑3Pa,极限真空为1×10‑5Pa,溅射气体为氧气和氩气的混合气体,其中O2的流量占总气流的6%至10%,工作气压为0.5pa,溅射功率为100W;源、漏极的制备步骤,用掩模法,采用射频磁控溅射沉积完成的,溅射时的本底真空为3×10‑3Pa,极限溅射气体为氩气,工作气压为0.5pa,溅射功率为100W。 |
地址 |
266000 山东省青岛市市南区宁夏路288号G6楼6层B区 |