发明名称 TFT阵列基板及其制造方法与检测方法
摘要 本发明提供一种TFT阵列基板及其制造方法与检测方法,涉及TFT-LCD制造领域,能够在不拆解液晶面板的情况下进行阵列基板TFT开关特性的检测,提高了检测效率。该TFT基板包括:玻璃基板、栅线、数据线、像素电极,像素电极延伸至同一像素单元区域内的第二栅线的上方,与第二栅线交叠;和/或像素电极延伸至同一像素单元区域内的第二数据线的上方,与第二数据线交叠。检测方法为:在液晶面板上打孔焊接像素电极和第二栅线;或打孔焊接像素电极和第二数据线,通过测量与像素电极电连接的金属线的输出电流,确定TFT像素单元的Mura类不良是否为TFT开关特性不均所致。
申请公布号 CN102315227B 申请公布日期 2013.04.03
申请号 CN201010223560.5 申请日期 2010.06.30
申请人 北京京东方光电科技有限公司 发明人 秦纬
分类号 H01L27/12(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;G02F1/13(2006.01)I 主分类号 H01L27/12(2006.01)I
代理机构 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人 申健
主权项 一种TFT阵列基板,包括:玻璃基板;形成在所述玻璃基板之上的栅线和数据线;所述栅线和数据线交叉定义的像素单元区域内形成有像素电极和薄膜晶体管,其特征在于,所述像素电极延伸至同一像素单元区域内的第二栅线的上方,与所述第二栅线交叠,当对该交叠区域进行激光设备焊接时,第二栅线的金属成分会融化连接到像素电极上;和/或所述像素电极延伸至同一像素单元区域内的第二数据线的上方,与所述第二数据线交叠,当对该交叠区域进行激光设备焊接时,第二数据线的金属成分会融化连接到像素电极上。
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