| 发明名称 | 半导体结构、半导体器件以及形成半导体结构的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体结构、半导体器件以及形成半导体结构的方法。一种半导体结构包括：工件，具有前侧和后侧；以及电容器，设置在所述工件中，所述电容器包括电耦接到所述工件的后侧的底部电极。在一个实施方式中，所述底部电极可以形成通向所述工件的前侧的传导路径。在一个实施方式中，所述电容器可以是沟道电容器。 | ||
| 申请公布号 | CN103022017A | 申请公布日期 | 2013.04.03 |
| 申请号 | CN201210345515.6 | 申请日期 | 2012.09.17 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | 迪特尔·克拉埃斯;贝恩德·埃塞内尔;京特·普法伊费尔;德特勒夫·威廉 |
| 分类号 | H01L23/64(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/64(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 李静;宫传芝 |
| 主权项 | 一种半导体结构，包括：第一半导体层；第二半导体层，覆盖所述第一半导体层；第三半导体层，覆盖所述第二半导体层；以及电容器，设置在所述第一半导体层、所述第二半导体层和所述第三半导体层中，所述电容器包括电耦接到所述第一半导体层的底部电极。 | ||
| 地址 | 德国瑙伊比贝尔格市 | ||