发明名称 制造单晶锭的系统
摘要 本发明公开了一种制造单晶锭的系统,所述系统包括:上炉体;下炉体,所述下炉体与所述上炉体相配合以形成炉体空间;坩埚,所述坩埚设置在炉体空间内并被构造成容纳籽晶和给料;至少一个加热器;坩埚支座,用于对所述坩埚进行支撑;隔热部件;以及温度控制单元,所述温度控制单元设置在所述坩埚支座之下,用于控制容纳的籽晶处的所述坩埚位置的温度。根据本发明,可以在坩埚的底部周围形成可控的温度梯度,从而保证在定向凝固的过程中控制所述籽晶的冷却,保证在单晶形成过程中防止籽晶被完全熔化,并利用该系统以较低的成本来获得单晶锭。
申请公布号 CN101906657B 申请公布日期 2013.04.03
申请号 CN201010228244.7 申请日期 2010.07.08
申请人 王敬 发明人 王敬
分类号 C30B11/00(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 主分类号 C30B11/00(2006.01)I
代理机构 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人 黄德海
主权项 一种制造单晶锭的系统,包括:上炉体;下炉体,所述下炉体与所述上炉体相配合以形成炉体空间;坩埚,所述坩埚设置在炉体空间内并被构造成容纳籽晶和给料;至少一个加热器,所述加热器用于加热并至少部分熔化所述籽晶,并完全熔化容纳在坩埚中的给料;坩埚支座,用于对所述坩埚进行支撑;隔热部件,所述隔热部件容纳在所述炉体空间内并被构造成相对于所述坩埚上下可移动;以及温度控制单元,所述温度控制单元设置在所述坩埚支座之下,用于控制容纳的籽晶处的所述坩埚位置的温度,其中,所述温度控制单元包括:气体导管,所述气体导管的一端设置在所述坩埚支座的底面中心附近,所述气体导管的另一端接提供用于冷却的气源;和气流引导件,所述气流引导件与所述坩埚支座的底面相对设置,所述气体导管穿透所述气流引导件,至少所述坩埚支座的下部形成有散热槽,所述散热槽形成为圆锥体、圆锥台、长方体、圆柱体中的任何一个,所述散热槽的顶部与石英坩埚相邻,所述气体导管插入到所述散热槽内,在所述散热槽的侧壁上设有保温材料层。
地址 100084 北京市海淀区清华大学南零楼3单元202室