发明名称 |
多栅极场效应晶体管的制造方法 |
摘要 |
本发明揭示了一种多栅极场效应晶体管的制造方法,通过在所述栅极两侧形成自对准间隔侧墙,在进行离子注入形成源极区和漏极区的过程中,能够掩蔽该栅极两侧的鳍状结构不被掺杂注入,增加了位于栅极下方鳍状结构中沟道的长度,以实现抑制短沟道效应、降低漏电流,并达到降低多栅极场效应晶体管的功耗、提高多栅极场效应晶体管的器件性能的目的。通过在多栅极场效应晶体管上形成阻挡层,并利用干法刻蚀所述阻挡层,在所述图案化的硬掩膜层两侧形成斜坡状的自对准阻挡掩膜;利用自对准阻挡掩膜刻蚀形成自对准间隔侧墙从而利用自对准技术,在形成过程中不需要利用光刻和刻蚀工艺定义,即形成自对准间隔侧墙,从而降低了工艺成本,提高了工艺效率。 |
申请公布号 |
CN103021857A |
申请公布日期 |
2013.04.03 |
申请号 |
CN201110301132.4 |
申请日期 |
2011.09.28 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
王新鹏 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
屈蘅;李时云 |
主权项 |
一种多栅极场效应晶体管的制造方法,包括提供一基底,在所述基底上形成鳍状结构,并在所述鳍状结构表面依次形成有栅极薄膜和硬掩膜层;图案化所述硬掩膜层,以形成图案化的硬掩膜层,并以图案化的硬掩膜层为掩膜刻蚀所述栅极薄膜,以形成跨设于所述鳍状结构侧壁和顶部表面的栅极;形成覆盖所述图案化的硬掩膜层、栅极和鳍状结构的间隔层;进行化学机械研磨工艺,直至暴露所述图案化的硬掩膜层的顶面;进行回刻蚀工艺,直至暴露所述图案化的硬掩膜层的全部侧面;形成覆盖所述图案化的硬掩膜层和间隔层的阻挡层;刻蚀所述阻挡层,以在所述图案化的硬掩膜两侧形成自对准阻挡掩膜;以所述自对准阻挡掩膜为硬掩膜,刻蚀所述间隔层以形成自对准间隔侧墙;去除所述自对准阻挡掩膜和图案化的硬掩膜层。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |