具有横向元件的半导体器件

摘要

本发明公开了一种具有横向元件（7，8）的半导体器件，该半导体器件包括半导体衬底（11，60）、所述衬底（11，60）上的第一和第二电极（19，32，20，33）、以及从所述第一电极（19，32）延伸至所述第二电极（20，33）的电阻性场板（21，34）。所述横向元件（7，8）传送所述第一与第二电极（19，32，20，33）之间的电流。施加至所述第二电极（20，33）的电压小于施加至所述第一电极（19，32）的电压。所述电阻性场板（21，34）具有第一端部和与所述第一端部相对的第二端部。所述第二端部设置得比所述第一端部更靠近所述第二电极（20，33）。所述第二端部中的杂质浓度等于或大于1×1018cm-3。

主权项

一种具有横向元件（7，8）的半导体器件，所述半导体器件包括：半导体衬底（11，60），包括第一导电类型的半导体层（11c，62）；第一电极（19，32），位于所述半导体层（11c，62）的表面上；第二电极（20，33），位于所述半导体层（11c，62）的所述表面上；以及电阻性场板（21，34），从所述第一电极（19，32）朝向所述第二电极（20，33）延伸，其中：所述横向元件（7，8）传送所述第一电极（19，32）与所述第二电极（20，33）之间的电流；施加至所述第二电极（20，33）的电压小于施加至所述第一电极（19，32）的电压；所述电阻性场板（21，34）具有第一端部和与所述第一端部相对的第二端部；所述电阻性场板（21，34）的所述第二端部设置得比所述电阻性场板（21，34）的所述第一端部更靠近所述第二电极（20，33）；并且所述第二端部中的第一杂质的浓度等于或大于1×1018cm‑3。