发明名称 |
应变和压力检测器件、话筒、制造应变和压力检测器件的方法以及制造话筒的方法 |
摘要 |
根据一个实施例,应变和压力检测器件包括半导体电路单元和检测单元。所述半导体电路单元包括半导体衬底和晶体管。所述晶体管设置在半导体衬底上。所述检测单元设置在所述半导体电路单元上,并且具有空间部分和非空间部分。所述非空间部分与所述空间部分并列。所述检测单元进一步包括活动梁、应变检测元件单元、以及第一和第二埋置互连部。所述活动梁具有固定部分和活动部分,并且包括第一和第二互连层。所述固定部分被固定到所述非空间部分。所述活动部分与所述晶体管分开并从所述固定部分延伸到所述空间部分中。所述应变检测元件单元被固定到所述活动部分。所述第一和第二埋置互连部设置在所述非空间部分中。 |
申请公布号 |
CN103017795A |
申请公布日期 |
2013.04.03 |
申请号 |
CN201210225044.5 |
申请日期 |
2012.06.29 |
申请人 |
株式会社东芝 |
发明人 |
福泽英明;大黑达也;小岛章弘;杉崎吉昭;高柳万里子;藤庆彦;堀昭男;原通子 |
分类号 |
G01D5/12(2006.01)I;H04R31/00(2006.01)I |
主分类号 |
G01D5/12(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
李向英 |
主权项 |
一种应变和压力检测器件,包括:半导体电路单元,包括半导体衬底和设置在所述半导体衬底上的晶体管;以及设置在所述半导体电路单元上的检测单元,所述检测单元具有:空间部分和非空间部分,所述空间部分设置在所述晶体管上方,所述非空间部分在与设置所述晶体管的半导体衬底表面平行的平面中与所述空间部分并列;所述检测单元进一步包括:活动梁,具有:固定部分,被固定到所述非空间部分;以及活动部分,与所述晶体管分开并从所述固定部分延伸到所述空间部分中,所述晶体管与所述活动部分之间的距离可改变,所述活动梁包括:第一互连层;以及第二互连层,从所述固定部分朝向所述活动部分延伸,应变检测元件单元,被固定到所述活动部分,所述应变检测元件单元的一端被电连接到所述第一互连层,所述应变检测元件单元的另一端被电连接到所述第二互连层,所述应变检测元件单元包括第一磁层,第一埋置互连部,设置在所述非空间部分中,以将所述第一互连层电连接到所述半导体电路单元,第二埋置互连部,设置在所述非空间部分中,以将所述第二互连层电连接到所述半导体电路单元。 |
地址 |
日本东京都 |