| 发明名称 | 一种硅酸铝镓锶钽压电晶体及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种硅酸铝镓锶钽压电晶体及其制备方法，所述硅酸铝镓锶钽压电晶体的化学式为Sr3TaAl(3-x)GaxSi2O14，其中x的取值范围为0.05～2.50。相比较于LGS压电晶体，在压电性能不受太大影响的情况下，STAGS压电晶体的生产成本显著降低；与STGS压电晶体相比较，STAGS压电晶体不仅压电性能有所提高，而且生产成本进一步降低；相对于结晶性能较差的STAS压电晶体，STAGS压电晶体体现了其结晶性能更为优异的优势。 | ||
| 申请公布号 | CN103014865A | 申请公布日期 | 2013.04.03 |
| 申请号 | CN201210594015.6 | 申请日期 | 2012.12.31 |
| 申请人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所;上海硅酸盐研究所中试基地 | 发明人 | 涂一帆;郑燕青;涂小牛;孔海宽;杨建华;施尔畏 |
| 分类号 | C30B29/34(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I;C30B13/00(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人 | 曹芳玲 |
| 主权项 | 一种硅酸铝镓锶钽压电晶体，其特征在于其化学式为Sr3TaAl(3‑x)GaxSi2O14 ，其中x的取值范围为0.05～2.50。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区定西路1295号 | ||