晶圆级封装构造及其制造方法

摘要

一种晶圆级封装构造及其制造方法，所述晶圆级封装构造包含：一支撑层；一芯片，设于所述支撑层上，并具有一有源表面，所述有源表面背对所述支撑层且设有数个焊垫，每一所述焊垫上设有一增厚金属物；一绝缘层，设于所述芯片与所述支撑层上，并具有数个盲孔，所述盲孔分别对应及裸露所述焊垫位置上的所述增厚金属物；以及一重布线层，设于所述绝缘层上，并通过所述盲孔与所述芯片的焊垫电性连接。所述增厚金属物可相对减少盲孔深度，降低绝缘层钻孔难度。

主权项

一种晶圆级封装构造，其特征在于，包含有：一支撑层；一芯片，设于所述支撑层上，并具有一有源表面，所述有源表面背对所述支撑层且设有一钝化层与数个焊垫，所述焊垫裸露出所述钝化层外，每一所述焊垫上设有一增厚金属物，所述增厚金属物为一电镀成形的金属层或金属柱状凸块；一绝缘层，设于所述芯片与所述支撑层上，并具有数个盲孔，所述盲孔分别对应及裸露所述焊垫位置上的所述增厚金属物；以及一重布线层，设于所述绝缘层上，并通过所述盲孔与所述芯片的焊垫电性连接。