发明名称 | 碳化硅横向PIN型微型核电池及其制造方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种碳化硅横向PIN型微型核电池及其制造方法,其核电池包括衬底和设在衬底上的N型SiC外延层,N型SiC外延层上设有N型SiC欧姆接触掺杂区和P型SiC欧姆接触掺杂区,N型SiC欧姆接触掺杂区上设有N型欧姆接触电极,P型SiC欧姆接触掺杂区上设有P型欧姆接触电极;N型SiC外延层上除去N型欧姆接触电极和P型欧姆接触电极的区域设有二氧化硅层;一、提供衬底,二、外延生长N型SiC外延层,三、形成N型SiC欧姆接触掺杂区,四、形成P型SiC欧姆接触掺杂区,五、形成二氧化硅层,六、形成欧姆接触电极,七、形成肖特基接触电极;本发明设计新颖合理,提高了微型核电池的能量转换效率和封装密度。 | ||
申请公布号 | CN103021492A | 申请公布日期 | 2013.04.03 |
申请号 | CN201210580215.6 | 申请日期 | 2012.12.27 |
申请人 | 长安大学 | 发明人 | 张林;李清华;邱彦章;巨永锋 |
分类号 | G21H1/06(2006.01)I | 主分类号 | G21H1/06(2006.01)I |
代理机构 | 西安创知专利事务所 61213 | 代理人 | 谭文琰 |
主权项 | 一种碳化硅横向PIN型微型核电池,其特征在于:包括由N型SiC基片构成的衬底(1)和设置在所述衬底(1)上部的N型SiC外延层(2),所述N型SiC外延层(2)上设置有N型SiC欧姆接触掺杂区(3)和P型SiC欧姆接触掺杂区(4),所述N型SiC欧姆接触掺杂区(3)上部设置有形状与所述N型SiC欧姆接触掺杂区(3)形状相同的N型欧姆接触电极(5),所述P型SiC欧姆接触掺杂区(4)上部设置有形状与所述P型SiC欧姆接触掺杂区(4)形状相同的P型欧姆接触电极(6);所述N型SiC欧姆接触掺杂区(3)、P型SiC欧姆接触掺杂区(4)、N型欧姆接触电极(5)和P型欧姆接触电极(6)均为由一条水平指条和多条垂直指条构成的指状结构,所述N型欧姆接触电极(5)的垂直指条与所述P型欧姆接触电极(6)的垂直指条相互交叉设置构成了叉指结构;所述N型SiC外延层(2)上部除去N型欧姆接触电极(5)和P型欧姆接触电极(6)的区域设置有二氧化硅层(7)。 | ||
地址 | 710064 陕西省西安市南二环中段33号 |