| 发明名称 |
双掺杂In<sub>4</sub>Se<sub>3</sub>基热电材料及其制备和用途 |
| 摘要 |
本发明涉及双掺杂In4Se3基热电材料In4-xPb0.01SnxSe3 (x = 0.02-0.05)、其制备方法及用途。采用高温固相两步法合成Pb、 Sn双掺杂In4Se3的粉体，将得到的粉体进行放电等离子烧结即可得到目标的块体材料。Pb、 Sn双掺杂的In4Se3基热电材料的热电优值最高达到1.4，比目前商业化热电材料体系的热电性能提高40%，因此可用于高效热-电转换器件制作。 |
| 申请公布号 |
CN103022336A |
申请公布日期 |
2013.04.03 |
| 申请号 |
CN201210539358.2 |
申请日期 |
2012.12.14 |
| 申请人 |
中国科学院福建物质结构研究所 |
发明人 |
吴立明;林志盛;陈玲 |
| 分类号 |
H01L35/18(2006.01)I;C22C12/00(2006.01)I;H01L35/34(2006.01)I |
主分类号 |
H01L35/18(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
双掺杂In4Se3基热电材料In4‑xPb0.01SnxSe3 (x = 0.02‑0.05)，当x=0.04，材料的热电优值达到1.4。 |
| 地址 |
350002 福建省福州市杨桥西路155号 |
