| 发明名称 |
A B -Lumineszenzdiode, insbesondere auf GaAs-Basis, mit hoher Lichtausbeute infolge geringer Absorption der p-Lumineszenz in der n-Zone |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE1278002(B) |
申请公布日期 |
1968.09.19 |
| 申请号 |
DE1966S101435 |
申请日期 |
1966.01.14 |
| 申请人 |
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT |
发明人 |
WINSTEL DR. GUENTER;ZSCHAUER DIPL.-PHYS. KARL-HEINZ |
| 分类号 |
H05B33/00;C09K11/74;H01L33/00;H05B33/12;H05B33/18;(IPC1-7):H05B33/16 |
主分类号 |
H05B33/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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