| 发明名称 | 用于辐射探测器的转换器层的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于辐射探测器（10）的多个转换器层（3）的制造方法，其中，每个转换器层（3）包括用于施加像素电极（12）的具有像素结构的第一面（4）和用于施加反电极（11）的第二面，所述制造方法包括在用于一个或多个具有结构化第一面（4）的转换器层（3）的具有结构形成元件（52）的晶体生长设备中的胚层（50）上的半导体晶体（54，60）的生长步骤。此外本发明涉及一种通过本方法制造的转换器层（3）以及一种辐射探测器（10）和一种具有此类转换器层（3）或此类辐射探测器（10）的医疗技术设备（20）。 | ||
| 申请公布号 | CN103022064A | 申请公布日期 | 2013.04.03 |
| 申请号 | CN201210344538.5 | 申请日期 | 2012.09.17 |
| 申请人 | 西门子公司 | 发明人 | F.迪尔;P.哈肯施迈德;M.斯特拉斯伯格 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/115(2006.01)I;G21K4/00(2006.01)I;G01T1/24(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 谢强 |
| 主权项 | 一种用于辐射探测器（10）的多个转换器层（3）的制造方法，其中，每个转换器层（3）包括用于施加像素电极（12）的具有像素结构的第一面（4）和用于施加反电极（11）的第二面，所述制造方法包括在用于一个或多个具有结构化第一面（4）的转换器层（3）的具有结构形成元件（52）的晶体生长设备中的胚层（50）上的半导体晶体（54，60）的生长步骤。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||