半导体衬底的制造方法、半导体装置、及电子设备

摘要

制造隔着缓冲层而具有单晶半导体层的半导体衬底。对半导体衬底掺杂氢，形成包含大量氢的损伤层。在将单晶半导体衬底和支撑衬底接合在一起之后，加热半导体衬底，在损伤区域中分离单晶半导体衬底。通过从具有单晶半导体层的一侧对单晶半导体层照射激光束，使单晶半导体层的照射激光束的区域的从表面有深度方向的一部分区域熔化，基于不熔化而留下的单晶半导体层的平面取向进行再晶化，恢复结晶性，并且使单晶半导体层的表面平坦化。

主权项

一种半导体衬底的制造方法，该半导体衬底具有支撑衬底以及所述支撑衬底上的单晶半导体层，所述制造方法包括如下步骤：对单晶半导体衬底添加离子，在所述单晶半导体衬底中形成损伤层；在所述单晶半导体衬底上形成缓冲层；隔着所述缓冲层将所述单晶半导体衬底和所述支撑衬底贴合；对所述单晶半导体衬底进行加热，以所述损伤层为劈开面从所述支撑衬底分离所述单晶半导体衬底的一部分，而在所述支撑衬底上形成所述单晶半导体层；以及从所述单晶半导体层的相分离一侧对所述单晶半导体层照射激光束，使所述单晶半导体层的一部分熔化，并且再晶化，其中，所述单晶半导体层熔化的深度比所述单晶半导体层的厚度浅，所述缓冲层具有多层结构，并且所述缓冲层包括用作阻挡层的绝缘膜。