单栅非易失性快闪存储单元、存储器件及其制造方法

摘要

本发明提供了一种单栅非易失性快闪存储单元、包括该存储单元的存储器件及其制造方法，该存储单元包括半导体结构及可动开关，所述可动开关包括：支撑部件和导电互连部件，所述支撑部件位于所述导电互连部件的外围，且与所述层间介质层连接，所述导电互连部件悬置在所述开口上方，当向所述导电互连部件施加电压时，则所述导电互连部件与所述浮栅结构电连接。本发明提供的单栅非易失性快闪存储单元，控制电路简单，制造成本低，可靠性高，功耗低，效率高。

主权项

一种单栅非易失性快闪存储单元，包括：半导体结构，所述半导体结构包括衬底、位于衬底中的第一导电类型的掺杂阱，位于掺杂阱内及其上的控制栅晶体管和浮栅晶体管，其中控制栅晶体管源极和浮栅晶体管的漏极共用，所述浮栅晶体管具有浮栅结构，所述半导体结构上具有层间介质层；其特征在于，还包括：可动开关，设置于所述浮栅结构上方，所述可动开关对应位置的层间介质层中具有暴露浮栅结构的开口；所述可动开关包括：支撑部件和导电互连部件，所述支撑部件位于所述导电互连部件的外围，且与所述层间介质层连接，并将所述导电互连部件悬置在所述开口上方，当向所述导电互连部件施加电压时，则所述导电互连部件与所述浮栅结构电连接。