薄晶片处理结构及薄晶片接合及剥离的方法

摘要

本发明提供一种薄晶片处理结构及薄晶片接合及剥离的方法，该薄晶片处理结构包含一半导体晶片；一剥离层，其可由施予能量予以剥离；一粘着层，其可由一溶剂予以移除，其中此剥离层由涂布或压合方式施加在载材上，此粘着层以涂布或压合方式施加在此半导体晶片上；以及此剥离层及此粘着层位于此半导体晶片及此载材之间并将其相互接合。此方法包含施加一剥离层至一载材上；施加一粘着层至一半导体晶片上；接合此载材及此半导体晶片；对此剥离层施予UV或激光的能量以剥离此剥离层；以及以溶剂清洁此半导体晶片表面以移除所有的粘着层残余物。本发明的晶片在剥离后的清洁表面，及在后结合工艺中具有良好的化学抵抗性。

主权项

一种薄晶片接合及剥离的方法，包括：以涂布或压合至少其一施加一剥离层于一载材上；以涂布或压合至少其一施加一粘着层至一半导体晶片上；接合该载材及该半导体晶片，且该剥离层及该粘着层位于该载材及该半导体晶片之间；施予能量至该剥离层，以剥离该载材；以及以一溶剂清洁该半导体晶片的一表面，以移除该粘着层的所有残余物，其中该剥离层在以涂布或压合至少其一施加该剥离层至该载材上之后，对该剥离层进行晶片边缘残除物移除。