发明名称 具有延伸连通腔道结构之半导体封装载热装置
摘要 一种具有延伸连通腔道结构之半导体封装载热装置,系包括有一腔体,其内部形成一容置空间并设置有一加热装置,并透过一加压控制组件连通一压力源以维持一预定压力。腔体结合有一延伸连通腔道,再于延伸连通腔道结合一用以容置一驱动马达之马达承置腔室,马达承置腔室经由延伸连通腔道与腔体保持一等压腔室压力。腔体之容置空间中结合有一涡轮风扇,并经由驱动马达驱动涡轮风扇转动,使腔体之容置空间之气体流动,以使载热装置中之一待加热标的物可均匀地受热。
申请公布号 TWM450049 申请公布日期 2013.04.01
申请号 TW101222440 申请日期 2012.11.20
申请人 印能科技有限公司 新竹市东区关新路19巷31号3楼 发明人 洪志宏
分类号 H01L21/02 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人 李伟裕 台北市大安区基隆路2段166号5楼之3
主权项
地址 新竹市东区关新路19巷31号3楼