电浆辅助化学气相沉积薄膜之总缺陷降低方法

摘要

本发明系提供一种用于降低沉积在半导体基材上之薄膜的缺陷之设备及方法。本发明之一实施例系提供一种用于在基材上沉积薄膜之方法。该方法包括：以第一电浆处理基材，且该第一电浆系设置以降低在基材上已存在之缺陷；以及施加由至少一前驱物及至少一反应物气体所产生之第二电浆而在基材上沉积包括有矽及碳之薄膜。