| 发明名称 | 0.5微米垂直JFET工艺 | ||
| 摘要 | 本发明揭示了一种0.5微米垂直JFET工艺，在衬底上生长外延层后，在需要进行掺杂的区域开槽，在槽中进行掺杂注入，掺杂注入与沉底及外延层相反类型的材料。用本发明的技术方案，通过开槽大大减小了横向扩散的现象，从而减小器件尺寸，最小关键尺寸可以小至0.5μm，提高了芯片的集成度，同时，通过开槽可以使填充物的掺杂浓度更加均匀，以保证器件良好性能。 | ||
| 申请公布号 | CN101859709A | 申请公布日期 | 2010.10.13 |
| 申请号 | CN200910049076.2 | 申请日期 | 2009.04.09 |
| 申请人 | 上海先进半导体制造股份有限公司 | 发明人 | 刘启星;汪大祥;孔天午 |
| 分类号 | H01L21/337(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/283(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/337(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 陆嘉 |
| 主权项 | 一种0.5微米垂直JFET工艺，其特征在于，在衬底上生长外延层后，在需要进行掺杂的区域开槽，在槽中进行掺杂注入，所述掺杂注入与沉底及外延层相反类型的材料。 | ||
| 地址 | 200233 上海市虹漕路385号 | ||