一种高储能密度的铁电膜材料及其制备方法

摘要

本发明公开了一种高储能密度的铁电膜材料及其制备方法，所述膜材料包括膜和基片，所述膜的组成为xBi(Ni1/2Ti1/2)O3-(1-x)PbTiO3，其中0.1≤x≤0.55，该膜以Bi(Ni1/2Ti1/2)O3和PbTiO3陶瓷为基体材料，所述膜的介电常数εr为400-900，低介电损耗为2-4%，储能密度为20-50 J/cm3。该膜材料采用在镀铂硅片上沉积形成结构致密、成分均匀的铁电薄膜。该膜材料具有优良的介电、铁电性能，高击穿场强和高储能密度，相比目前实际应用的电容器的储能密度高出一个数量级，在高温高功率器件中有很大的潜在应用前景，可以作为高功率大容量电容器开发和应用的关键材料。

主权项

一种高储能密度的铁电膜材料，包括膜和基片，所述膜的组成为xBi(Ni1/2Ti1/2)O3‑(1‑x)PbTiO3，其中0.1≤x≤0.55，其特征在于,该膜以Bi(Ni1/2Ti1/2)O3和PbTiO3陶瓷为基体材料，所述膜的介电常数εr为400‑900，低介电损耗为2‑4%，储能密度为20‑50 J/cm3。