生产半导体结构的方法

摘要

本发明涉及生产半导体结构的方法，所述方法包括：在第一硅衬底上提供通过在硅中注入碳而产生的包含单晶3C-SiC层的3C-SiC半导体层结构；和将适用于生产光电子元件的氮化物化合物半导体外延层施加到所述3C-SiC半导体层结构上，其特征在于，将氮化物层结合到第二衬底的表面上并且机械或化学去除3C-SiC半导体层结构的含硅和SiC的层，从而将所述氮化物化合物半导体外延层转移到第二衬底上，所述第二衬底是具有大于或等于80％的高反射率的金属合金或基本上透明的衬底。

主权项

一种生产半导体结构的方法，所述方法包括：在第一硅衬底上提供通过在硅中注入碳而产生的包含单晶3C‑SiC层的3C‑SiC半导体层结构；和将适用于生产光电子元件的氮化镓化合物半导体外延层施加到所述3C‑SiC半导体层结构上，其特征在于，在所述氮化镓化合物半导体外延层上首先施加金属材料的导电反射层，然后在机械或化学去除所述3C‑SiC半导体层结构的含硅和SiC的层之后，将该氮化镓化合物半导体外延层结合到第二衬底的表面上，从而将所述氮化镓化合物半导体外延层转移到第二衬底上，所述第二衬底是具有大于或等于80％的高反射率的金属合金或透明的衬底。