发明名称 各向异性导电材料及其制造方法
摘要 提供可得到低的导通电阻和高的粘接强度的各向异性导电材料及其制造方法。若将玻璃基板(11)与金属布线材料(12)热压接,则在玻璃基板(11)与各向异性导电材料(13)的界面中,玻璃基板(11)表面的Si与修饰到疏水二氧化硅(14)上的二硫化物硅烷末端的烷氧基(OR)反应,进行化学键合。另外,在金属布线材料(12)与各向异性导电材料(13)的界面中,通过压接时的热,二硫化物硅烷的一部分的S-S键(二硫键)离解,所离解的硫化物硅烷与金属Me化学键合。
申请公布号 CN103003892A 申请公布日期 2013.03.27
申请号 CN201180031175.3 申请日期 2011.11.30
申请人 迪睿合电子材料有限公司 发明人 塚尾怜司;石松朋之;大关裕树
分类号 H01B5/16(2006.01)I;H01B1/22(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01R11/01(2006.01)I;H05K1/14(2006.01)I;H05K3/32(2006.01)I 主分类号 H01B5/16(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 庞立志;孟慧岚
主权项 各向异性导电材料,其含有将疏水性二氧化硅表面用二硫化物系硅烷偶联剂进行表面处理而成的二氧化硅粒子。
地址 日本东京都