| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：由多个半导体子层构成的半导体层；在所述半导体层中接于所述半导体层形成的多个鳍片，其中，至少两个鳍片分别包括不同数目的半导体子层，且具有不同的高度。根据本发明，能够在同一晶片上集成具有不同尺寸的多个半导体器件，并提供具有不同驱动能力的器件。 | ||
| 申请公布号 | CN103000686A | 申请公布日期 | 2013.03.27 |
| 申请号 | CN201110265073.X | 申请日期 | 2011.09.08 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 朱慧珑;尹海洲;骆志炯 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 王波波 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：半导体层，其包括多个半导体子层；以及在所述半导体层中接于所述半导体层形成的多个鳍片，其中，至少两个鳍片分别包括不同数目的半导体子层，且具有不同的高度。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||