腔室装置和具有该腔室装置的基片处理设备

摘要

本发明公开了一种腔室装置，包括：限定有腔室的腔室本体；气体分布板，所述气体分布板设在腔室内以将腔室分割为上腔室和下腔室，上腔室具有进气口且下腔室具有出气口，气体分布板上设有将上腔室和下腔室连通的多个分配孔；和分布板衬板，所述分布板衬板设在腔室内且位于气体分布板下面，分布板衬板上设有多个通孔，分布板衬板的下表面上设有由第一半导体材料制成的第一覆盖层。根据本发明实施例的腔室装置，在用于化学气相沉积时，在分布板内衬上沉积的薄膜致密性和结合力都较好，薄膜不易崩落，因而不易引起颗粒污染，大大增加了维护周期。本发明还公开了一种具有上述腔室装置的基片处理设备。

主权项

一种腔室装置，其特征在于，包括：腔室本体，所述腔室本体内限定有腔室；气体分布板，所述气体分布板设在所述腔室内以将所述腔室分割为上腔室和下腔室，所述上腔室具有进气口且所述下腔室具有出气口，所述气体分布板上设有将所述上腔室和所述下腔室连通的多个分配孔；和分布板衬板，所述分布板衬板设在所述腔室内且位于所述气体分布板下面，所述分布板衬板上设有多个通孔，所述分布板衬板的下表面上设有第一覆盖层，所述第一覆盖层由第一半导体材料制成。