化合物半导体装置及其制造方法

摘要

本发明中设有与化合物半导体层（102）绝缘且与电极（101）和化合物半导体层（103）相接的电极（109）。化合物半导体层（103）的晶格常数小于化合物半导体层（102）和化合物半导体层（104）的晶格常数，化合物半导体层（107）的晶格常数小于化合物半导体层（102）和化合物半导体层（107）的晶格常数。另外，化合物半导体层（103）的传导带的能量高于化合物半导体层（104）的传导带的能量。

主权项

一种化合物半导体装置，其特征在于，具有：第1电极，第1化合物半导体层，形成于所述第1电极的上方，第2化合物半导体层，形成于所述第1化合物半导体层上，第3化合物半导体层，形成于所述第2化合物半导体层上，第2电极，形成于所述第3化合物半导体层的上方，第4化合物半导体层，形成于在所述第1化合物半导体层、所述第2化合物半导体层以及所述第3化合物半导体层的层叠体形成的开口部内，与所述第1化合物半导体层、所述第2化合物半导体层以及所述第3化合物半导体层的侧面相接，栅电极，控制所述第2化合物半导体层与所述第4化合物半导体层的界面的电位，以及第3电极，与所述第1化合物半导体层绝缘，与所述第1电极和所述第2化合物半导体层相接；其中，所述第2化合物半导体层的晶格常数小于所述第1化合物半导体层和所述第3化合物半导体层的晶格常数，所述第4化合物半导体层的晶格常数小于所述第1化合物半导体层和所述第3化合物半导体层的晶格常数，所述第2化合物半导体层的传导带的能量高于所述第3化合物半导体层的传导带的能量。