| 发明名称 | 氮化镓基衬底光子晶体发光二极管制作方法 | ||
| 摘要 | 一种氮化镓基衬底光子晶体发光二极管制作方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底，在该衬底的侧面用激光打孔，形成光子晶体结构；步骤2：在衬底上采用MOCVD方法依次生长成核层、N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层；步骤3：采用光刻的方法，在ITO层上的一侧向下刻蚀，形成台面；步骤4：在ITO层上制备P型电极；步骤5：在台面上制备N型电极，完成制备。 | ||
| 申请公布号 | CN103000775A | 申请公布日期 | 2013.03.27 |
| 申请号 | CN201210550029.8 | 申请日期 | 2012.12.17 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 谢海忠;卢鹏志;耿雪妮;杨华;李璟;伊晓燕;王军喜;王国宏;李晋闽 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I;H01L33/16(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 一种氮化镓基衬底光子晶体发光二极管制作方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底，在该衬底的侧面用激光打孔，形成光子晶体结构；步骤2：在衬底上采用MOCVD方法依次生长成核层、N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层；步骤3：采用光刻的方法，在ITO层上的一侧向下刻蚀，形成台面；步骤4：在ITO层上制备P型电极；步骤5：在台面上制备N型电极，完成制备。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||