发明名称 |
半导体器件的制造方法及显示器件的制造方法 |
摘要 |
半导体器件的制造方法及显示器件的制造方法。本发明的课题在于提供提高材料的利用效率并使制造工序简化,来制造高可靠性的半导体器件的方法。其包括如下工序:在衬底上形成导电层;在该导电层上形成透光层;以及从该透光层上照射飞秒激光来选择性地除去该导电层及该透光层。也可以按照将该透光层的端部配置在比该导电层的端部更靠内侧的方式来除去该导电层及该透过层。此外,也可以在照射飞秒激光之前对该透光层的表面进行憎液处理。 |
申请公布号 |
CN102208419B |
申请公布日期 |
2013.03.27 |
申请号 |
CN201110081650.X |
申请日期 |
2007.08.31 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
森末将文;田中幸一郎 |
分类号 |
H01L27/12(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;G02F1/167(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/12(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
艾尼瓦尔 |
主权项 |
一种半导体器件,所述半导体器件包括:第一衬底;第一衬底之上的薄膜晶体管;薄膜晶体管之上的布线,所述布线具有第一开口部;布线上的绝缘层,所述绝缘层具有第二开口部;和第一开口部和第二开口部中并位于绝缘层上的导电层,其中第一开口部大于第二开口部,其中导电层通过第一开口部和第二开口部,其中第二开口部中的绝缘层的端部配制为比第一开口部中的布线的端部更靠内侧,并且其中导电层电连接到薄膜晶体管。 |
地址 |
日本神奈川县厚木市 |