| 发明名称 | 开关电路 | ||
| 摘要 | 一种开关电路布置(100)，包括场效应晶体管(40)和用于偏置场效应晶体管(40)的栅极电压，具体是使场效应晶体管(40)的栅极电压在特定门限以下，具体是在特定正门限电平以下的电路(50，52，54，60，62)。在实施方式中，同时减轻反向恢复以及栅极回跳。在一个实施方式中，偏置电路包括串联到场效应晶体管(40)的栅极(G)以偏置场效应晶体管(40)的栅极电压的偏置二极管(52)，以及连接在场效应晶体管(40)的栅极(G)以及场效应晶体管(40)的源极(S)之间使场效应晶体管(40)的栅极电压在特定门限以下，具体是特定正门限电平以下的箝位场效应晶体管单元(62)。 | ||
| 申请公布号 | CN101454979B | 申请公布日期 | 2013.03.27 |
| 申请号 | CN200780019978.0 | 申请日期 | 2007.05.14 |
| 申请人 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 发明人 | T·洛佩斯;R·埃尔费里希 |
| 分类号 | H03K17/16(2006.01)I;H02M3/158(2006.01)I | 主分类号 | H03K17/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 吴立明 |
| 主权项 | 一种开关电路，包括：场效应晶体管，具有FET门限电平，偏置电路，串联连接到所述场效应晶体管的栅极，用于将所述场效应晶体管的栅极电压偏置到所述FET门限电平以下和零伏特之上的区域，以及箝位开关，连接在所述场效应晶体管的栅极以及所述场效应晶体管的源极之间，用于使得所述场效应晶体管的栅极电压在所述FET门限电平以下，只要从所述场效应晶体管的漏极到所述场效应晶体管的源极的电压上升超过所述箝位开关的箝位开关门限电平，就使得所述箝位开关开通。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬市 | ||