| 发明名称 | 应变GeOI结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种应变GeOI结构，包括：表面具有氧化物绝缘层的硅衬底；形成在所述氧化物绝缘层之上的Ge层，其中，Ge层与所述氧化物绝缘层之间形成有第一钝化薄层；形成在所述Ge层之上的栅堆叠，以及形成在所述栅堆叠之下的沟道区和沟道区两侧的漏区和源区；和多个浅沟槽隔离STI结构，所述多个STI结构穿透所述氧化物绝缘层延伸至所述硅衬底中，且所述STI结构中填充有引入应变的绝缘介质材料以使所述沟道区产生应变。在本发明实施例中通过第一钝化层可以改善Ge材料与绝缘氧化物之间的界面态问题，从而降低该界面处的漏电和散射。 | ||
| 申请公布号 | CN102184953B | 申请公布日期 | 2013.03.27 |
| 申请号 | CN201110058127.5 | 申请日期 | 2011.03.10 |
| 申请人 | 清华大学 | 发明人 | 王敬;许军;郭磊 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/16(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人 | 张大威 |
| 主权项 | 一种应变GeOI结构，其特征在于，包括：表面具有氧化物绝缘层的硅衬底；形成在所述氧化物绝缘层之上的Ge层，其中，所述Ge层与所述氧化物绝缘层之间形成有第一钝化薄层；形成在所述Ge层之上的栅堆叠，以及形成在所述栅堆叠之下的沟道区和沟道区两侧的漏区和源区；和多个浅沟槽隔离STI结构，所述多个STI结构穿透所述氧化物绝缘层延伸至所述硅衬底中，且所述STI结构中填充有引入应变的绝缘介质材料以使所述沟道区产生应变，其中，所述第一钝化薄层为锶锗化物薄层或钡锗化物薄层。 | ||
| 地址 | 100084 北京市海淀区100084-82信箱 | ||