发明名称 用于电容触摸屏中玻璃基板的加工工艺
摘要 本发明公开一种用于电容触摸屏中玻璃基板的加工工艺,所述电容式触摸屏从上往下依次设置有第一玻璃基板、上电极层、下电极层和第二玻璃基板;所述第一、第二玻璃基板经过以下步骤处理:步骤一、将所述玻璃基板放置于酸性溶液中进行预处理;步骤二、将经步骤一的所述玻璃基板浸入第一离子溶液中,所述第一离子溶液由去离子水与硫酸钠和氧化钾组成的混合物组成;步骤三、将经步骤二的所述玻璃基板浸入第二离子溶液中,所述第二离子溶液由去离子水与硝酸钾、碳酸钾和硼酸钾组成的混合物组成;步骤四、将经步骤三的所述玻璃基板浸泡于50~60℃的去离子水中。本发明加工工艺缩短了处理时间,并进一步提高了电容触摸屏的玻璃基板压应力层的厚度、抗折强度以及表面硬度。
申请公布号 CN102992640A 申请公布日期 2013.03.27
申请号 CN201110276319.3 申请日期 2011.09.19
申请人 昆山海天光电科技有限公司 发明人 刘建国;刘生明
分类号 C03C17/00(2006.01)I;G06F3/044(2006.01)I 主分类号 C03C17/00(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种用于电容触摸屏中玻璃基板的加工工艺,所述电容式触摸屏从上往下依次设置有第一玻璃基板、上电极层、下电极层和第二玻璃基板;其特征在于:所述第一、第二玻璃基板经过以下步骤处理:步骤一、将所述玻璃基板放置于酸性溶液中进行预处理,预处理时间为1~10min;所述玻璃基板原料配方主要由下列质量百分含量的组分组成:二氧化硅(SiO2)     71.21%;氧化钾(K2O)        1.22%;氧化纳(Na2O)       12.77%;氧化钙(CaO)        6.48%;步骤二、将经步骤一的所述玻璃基板浸入580~620℃的第一离子溶液中,处理时间为25分钟,所述第一离子溶液由去离子水与硫酸钠和氧化钾组成的混合物组成,此硫酸钠和氧化钾在混合物中质量百分含量为:硫酸钠,53.81%;氧化钾,46.19%;步骤三、将经步骤二的所述玻璃基板浸入第二离子溶液中,此第二离子溶液以每分钟3~15℃/min升温速率从室温升至390~420℃,并在390~420℃的条件下保持3~5小时后自然降温;所述第二离子溶液通有气体从而在此第二离子溶液中形成气泡,所述第二离子溶液由去离子水与硝酸钾、碳酸钾和硼酸钾组成的混合物组成,此混合物各组分的质量百分含量为:硝酸钾(SiO2)        85%~95%;碳酸钾(B2O3)        4%~14%;硼酸钾(K2B4O7)      0.5%~1.5%;步骤四、将经步骤三的所述玻璃基板浸泡于50~60℃的去离子水中,此去离子水中通有空气。
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