| 发明名称 | 具有改进的隧穿势垒的磁隧道结 | ||
| 摘要 | 具有改进的隧穿势垒的磁隧道结。本发明涉及一种制造适合于磁随机存取存储器(MRAM)的磁隧道结的方法，该磁隧道结包括第一铁磁层，隧穿势垒层以及第二铁磁层，该方法包括：形成第一铁磁层；形成隧穿势垒层；以及形成第二铁磁层；其中所述形成隧穿势垒层包括沉积金属镁层；以及氧化沉积的金属镁层，以便将金属镁转化为MgO；形成隧穿势垒层的步骤被执行至少两次，使得隧穿势垒层包括至少两层MgO。 | ||
| 申请公布号 | CN103000805A | 申请公布日期 | 2013.03.27 |
| 申请号 | CN201210401686.6 | 申请日期 | 2012.09.07 |
| 申请人 | 克罗科斯科技公司 | 发明人 | I·L·普雷贝亚努;C·波特蒙;C·迪克吕埃 |
| 分类号 | H01L43/12(2006.01)I;H01L43/08(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 马丽娜;李浩 |
| 主权项 | 一种制造适合于磁随机存取存储器(MRAM)单元的磁隧道结的方法，该磁隧道结包括第一铁磁层，隧穿势垒层和第二铁磁层，该方法包括：形成第一铁磁层；形成隧穿势垒层；以及形成第二铁磁层；所述形成隧穿势垒层包括沉积金属镁层；以及氧化沉积的金属镁层，以便将金属镁转化为MgO；形成隧穿势垒层的步骤被执行两次以上，使得隧穿势垒层包括两个以上的MgO层，以便减小势垒层包含通过所有MgO层被对齐的针孔的概率。 | ||
| 地址 | 法国格勒诺布尔 | ||