| 发明名称 | 纳米结构的制造 | ||
| 摘要 | 生产纳米结构的方法，包括提供包含石墨烯层的石墨薄片；插层石墨薄片以形成呈现I阶，II阶或III阶插层的石墨插层化合物；和在多个单个石墨烯层从石墨插层化合物分离的条件下剥离该石墨插层化合物。 | ||
| 申请公布号 | CN101460393B | 申请公布日期 | 2013.03.27 |
| 申请号 | CN200780021065.2 | 申请日期 | 2007.05.31 |
| 申请人 | 戴雷克塔普拉斯股份公司 | 发明人 | R·A·默库里 |
| 分类号 | B82B3/00(2006.01)I | 主分类号 | B82B3/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 段晓玲;韦欣华 |
| 主权项 | 一种制备纳米结构的方法，包括：提供包含石墨烯层的石墨薄片；插层该石墨薄片以形成呈现I阶，II阶或III阶插层的石墨插层化合物；和通过将该石墨插层化合物暴露于至少1450℃的温度来剥离该石墨插层化合物，其中在不超过1秒的时间内使该石墨插层化合物从它是稳定时的温度带到至少1450℃的温度，使得在多个单个石墨烯层从石墨插层化合物分离。 | ||
| 地址 | 意大利科摩内斯特 | ||