半导体基板、半导体基板的制造方法及电子器件

摘要

本发明使用廉价且散热特性优良的Si基板，制得质量良好的GaAs系结晶薄膜。本发明提供一种半导体基板，其具备：Si基板和形成于所述基板上的、用于阻挡结晶生长的阻挡层，所述阻挡层具有：覆盖基板的一部分的覆盖区域及位于覆盖区域的内部且不覆盖基板的开口区域，所述半导体基板还具有：结晶生长在开口区域的Ge层；结晶生长在Ge层上的、由包含P的3-5族化合物半导体层所构成的缓冲层；以及结晶生长在缓冲层上的功能层。在该半导体基板中，Ge层可以通过以结晶缺陷能移动的温度及时间进行退火而形成。

主权项

一种半导体基板，其具有：Si基板和形成于所述基板上用于阻挡结晶生长的阻挡层，所述阻挡层具有：覆盖所述基板的一部分的覆盖区域以及位于所述覆盖区域的内部且不覆盖所述基板的开口区域，所述半导体基板还具有：在所述开口区域结晶生长的Ge层；在所述Ge层上结晶生长的由包含P的3‑5族化合物半导体层所构成的缓冲层；以及在所述缓冲层上结晶生长的功能层，所述半导体基板还具有以比所述阻挡层的上表面还快的吸附速度吸附所述功能层的原料的原料吸附部，所述原料吸附部为与开口部不同的区域。