发明名称 |
激光源和用于制造激光源的方法 |
摘要 |
一种激光源尤其包括具有活性区域(45)和射线输出耦合面(12)的半导体层序列(10)和滤波结构(5),所述射线输出耦合面(12)具有第一子区域(121)和与第一子区域(10)不同的第二子区域(122),其中所述活性区域(45)在运行时生成具有第一波长范围的相干的第一电磁射线(51)和具有第二波长范围的不相干的第二电磁射线(52),所述相干的第一电磁射线(51)沿着辐射方向(90)从第一子区域(121)辐射,不相干的第二电磁射线(52)从第一子区域(121)和第二子区域(122)辐射,第二波长范围包括第一波长范围并且滤波结构(5)至少部分地减弱从活性区域(45)沿着辐射方向(90)辐射的不相干的第二电磁射线(52)。 |
申请公布号 |
CN101946378B |
申请公布日期 |
2013.03.27 |
申请号 |
CN200880127211.4 |
申请日期 |
2008.12.17 |
申请人 |
奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
发明人 |
A·莱利;C·艾克勒;W·施米德;S·陶茨;W·赖尔;D·迪尼 |
分类号 |
H01S5/028(2006.01)I;H01S5/22(2006.01)I |
主分类号 |
H01S5/028(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
张涛;李家麟 |
主权项 |
一种激光源,包括‑具有活性区域(45)和射线输出耦合面(12)的半导体层序列(10),所述射线输出耦合面(12)具有第一子区域(121)和与第一子区域不同的第二子区域(122),以及‑滤波结构(5),其中‑活性区域(45)在运行时生成具有第一波长范围的相干的第一电磁射线(51)和具有第二波长范围的不相干的第二电磁射线(52),‑相干的第一电磁射线(51)沿着辐射方向(90)从第一子区域(121)辐射出去,‑不相干的第二电磁射线(52)从第一子区域(121)和第二子区域(122)辐射出去,‑第二波长范围包括第一波长范围,以及‑滤波结构(5)至少部分地减弱从活性区域沿着辐射方向(90)辐射的不相干的第二电磁射线(52),其中‑滤波结构(5)包括至少一个第一滤波元件(6),该第一滤波元件(6)在辐射方向(90)上布置在半导体层序列(10)的后面,‑相干的第一电磁射线(51)具有第一强度并且不相干的第二电磁射线(52)具有小于第一强度的第二强度,‑所述至少一个第一滤波元件(6)具有对于电磁射线来说与强度有关的透射率(61),以及‑所述第一滤波元件(6)对于具有强度大于或等于第二强度的电磁射线是不透明的,但对于强度等于第一强度的电磁射线是透明的。 |
地址 |
德国雷根斯堡 |