一种基于SOI的ESD保护器件及其制作方法

摘要

本发明公开了一种基于SOI的ESD保护器件及其制作方法。该ESD器件结构包括：SOI衬底，位于SOI衬底上的N阱区和P阱区，位于所述N阱区之上的阳极接触端以及位于所述P阱区之上的阴极接触端，其中，所述N阱区和P阱区之间形成横向的PN结，在所述PN结之上设有场氧区。本器件可以在ESD来临时，及时的泄放ESD电流，避免栅氧击穿或者大电流流入电路内部，造成电路损伤。可以通过调节器件参数来调整器件的触发电压和维持电压，使其可以用于不同内部电压的电路保护，避免功率局部集中。能够在HBM（人体模型）中实现抗ESD电压达到2KV以上，达到了目前人体模型的工业标准。

主权项

一种基于SOI的ESD保护器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、通过掺杂工艺在SOI衬底上形成N阱区和P阱区，使N阱区和P阱区之间形成横向的PN结；步骤二、在N阱区和P阱区的表面进行氧化形成氧化层，再在所述氧化层上沉积掩膜并刻蚀掉位于PN结上方的部分掩膜，露出部分所述氧化层，然后采用热氧化法使露出的部分氧化层继续生长形成场氧区，所述氧化层的厚度为25‑35nm，所述采用热氧化法使露出的部分氧化层继续生长形成场氧区的热氧化温度为900‑1100摄氏度，生长时间为380‑390分钟；步骤三、分别在N阱区和P阱区上制作阳极接触端和阴极接触端。