固体摄像装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种背面照射型的固体摄像装置及其制造方法，在SOI基板的半导体层的表面上，形成具有与像素图形对应的开口的掩膜，并使用上述掩膜从上述半导体层的表面侧向该层内离子注入第二导电型的杂质，从而形成第二导电型的光电转换部，并且由未被离子注入的部分形成像素分离区域。接着，在去除上述掩膜之后，在上述半导体层的表面部形成用于读出由上述光电转换部得到的光信号的信号扫描电路。接着，在上述半导体层的表面侧接合支承基板之后，从上述半导体层剥离上述半导体基板及埋入绝缘膜。

主权项

一种背面照射型的固体摄像装置的制造方法，包括以下步骤：针对在半导体基板上隔着埋入绝缘膜形成了半导体层的基板，在上述半导体层中以第一浓度均匀掺杂第一导电型的杂质，并且在该层的背面侧以比上述第一浓度高的第二浓度掺杂第一导电型的杂质，在上述半导体层的表面上形成掩膜，该掩膜具有与像素图形对应的开口；使用上述掩膜以从上述半导体层的表面侧到达背面的方式向该层内离子注入第二导电型的杂质，通过该离子注入，形成宽度从上述基板的表面侧向背面侧变宽的渐宽状的、作为上述像素的第二导电型的光电转换部，并且将未被离子注入的部分作为像素分离区域仍保持为第一导电型，并且将上述半导体层的背面附近保持为第一导电型；在去除上述掩膜之后，在上述半导体层的表面部形成信号扫描电路，该信号扫描电路用于读出由上述光电转换部得到的光信号；在形成了上述信号扫描电路的上述半导体层的表面侧，粘结支承基板；在粘结了上述支承基板之后，从上述半导体层去除上述半导体基板以及埋入绝缘膜。