矽单结晶晶圆及其制造方法

摘要

本发明之课题系提供对薄膜装置有效地发挥去疵(gettering)效果的矽单结晶晶圆的制造方法。本发明之解决手段系由以柴式长晶法(Czochralski method)育成之单结晶所加工之矽晶圆，对初期格子间氧浓度为1.4×1018个原子/cc(ASTM F－121,1979)以上之晶圆，施行10秒以下的急速升降温热处理。